АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

ПОНЯТИЕ И РАЗНОВИДНОСТИ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

Читайте также:
  1. I. Понятие о синонимии
  2. I. Понятие распределительной (сбытовой) логистики
  3. II. Понятие о семе и семеме.
  4. II.1.1 Разновидности метонимии и ее функция в процессе создания газетной экспрессии
  5. Административное наказание: понятие, виды
  6. Административное правонарушение: понятие, состав
  7. Акты применения правовых норм: понятие, особенности, виды.
  8. Акции и облигации: понятие и виды.
  9. Амортизация основных средств: понятие, назначение, методы расчёта.
  10. Артериолы, капилляры, венулы: функция и строение. Органоспецифичность капилляров. Понятие о гистогематическом барьере.
  11. Атмосферный воздух как объект правовой охраны. Юридическое понятие «атмосферный воздух»
  12. Б 2 Понятие профессиональной деструкции. Факторы, влияющие.

 

Обычно травление ассоциируется с использованием специальных растворов - травителей - для общего или локального удаления поверхностного слоя твердого тела на ту или иную глубину. Действительно, жидкие травители остаются главным средством для достижения указанной цели. Однако в технологии микроэлектроники появились и другие средства, выполняющие ту же задачу (например, плазмохимическое травление – растворение материала под воздействием свободных радикалов и ионов химически активных газов, образующихся в плазме газового разряда). В общем случае травление можно рассматривать как не механические способы изменения рельефа поверхности твердого тела.

Классический процесс химического травления – это удаление материала с поверхности твердого тела в результате растворения в травителе – растворе химических реагентов, способных вступать в реакцию с кристаллом с образованием продуктов реакции. Переход поверхностного слоя кристалла в раствор означает удаление этого слоя.

Конечно, травление подчиняется законам физической химии, но в реальных условиях имеется столько привходящих обстоятельств, что состав травителей для каждого материала подбирается не расчетным путем, а экспериментально.

Характеристикой активности взаимодействия кристалла с травителем служит скорость травления. Несмотря на простоту практической реализации процесс травления чрезвычайно сложен. На скорость растворения кристаллов влияют внутренние и внешние факторы. Внутренние факторы связаны со свойствами кристалла - с химической природой, типом связи, элементами, из которых построен данный кристалл, с наличием и химической природой примесей, вошедших в решетку кристалла, с кристаллографической ориентацией поверхности, с несовершенствами решетки (дислокациями, точечными дефектами и др.). Внешние факторы связаны с травителем - это природа травителя, концентрация входящих в него компонентов, температура, перемешивание, наличие в нем примесей. Для полупроводников на скорость растворения влияет и время травления. Универсальная теория травления, объясняющая влияние всех этих факторов, пока не создана. Каждая из существующих теорий объясняет лишь наблюдения определенного типа. Кремний, германий, соединения А3В5 при комнатной температуре не реагируют с водными растворами кислот или щелочей. Низкая реакционная способность полупроводников обусловлена преобладающей сильной ковалентной связью в их кристаллах. Для растворения полупроводниковых кристаллов необходимы смеси реагентов, в состав которых входят сильный окислитель и вещество, способное растворять продукты окисления. Растворение полупроводника в травителе может быть описано с использованием химического или электрохимического механизмов.

По сравнению с механическим удалением травление обеспечивает бóльшую точность процесса: стравливание происходит плавно - один мономолекулярный слой за другим. Правильно подобрав состав травителя, его концентрацию, температуру и время травления, можно весьма точно регулировать толщину удаляемого слоя. Например, при химической полировке подложек кремния можно обеспечить скорость травления 0,1 мкм/мин, т.е. за 20-30 секунд снять слой толщиной всего 40-50 нм.

В технологии полупроводников используют несколько видов травления (по видам травления обозначаются и составы травителей).

Изотропное травление – растворение материала с одинаковой скоростью для всех граней монокристалла, не зависящей от кристаллографического направления поверхности травления. Этот вид травления используют для химического полирования поверхности и удаления слоев заданной толщины. В процессе химического полирования происходит сглаживание неровностей подложки с уменьшением шероховатости поверхности. Химическое полирование позволяет удалить с поверхности подложек нарушенный слой, оставшийся после механической обработки, механические упругие напряжения, обеспечивает очистку поверхности от посторонних включений, загрязнений и пленок, позволяет уменьшить толщину подложек и получить заданные топографический рельеф поверхности и геометрические размеры;

Для большей равномерности химического полирования и удаления продуктов реакции с поверхности ванночку с раствором вращают в наклонном положении (динамическое травление) или вводят в раствор ультразвуковой вибратор (ультразвуковое травление).

Анизотропное травление - растворение материала с неодинаковой скоростью на различных гранях монокристалла, зависящей от кристаллографического направления поверхности. Этот вид травления (и специальные анизотропные травители) используют для получения заданного микрорельефа поверхности подложек. За последние годы в связи с появлением микроэлектромеханических систем (МЭМС) методы анизотропного травления получили мощный толчок к развитию и сейчас используются не только в планарной технологии, но и в технологии изготовления МЭМС для объемной микрообработки при создании сенсорных и актюаторных элементов (рисунок 7).

 

а) б)

Рисунок 7 - Фрагмент микромеханического устройства в сечении (а) и плане (б) кристалла. Травление выполнено на установке п лазменного анизотропного травления кремния для изделий микромеханики (разработка Физико-технологического института РАН)

 

Анизотропный характер травления в определенных травителях объясняется различной плотностью упаковки атомов в разных плоскостях, а также различным характером связи поверхностных атомов между собой и с атомами, расположенными в объеме подложки. Скорость травления кремния в зависимости от кристаллографического направления соответствует следующему ряду: V<100> > V<110> > V<210> > V<211> > V<221> > V<111>. Наименьшая скорость травления в монокристаллическом кремнии свойственна направлению <111>, в котором плотность атомов на единицу площади максимальна, а наибольшая - направлению <100>, в котором плотность атомов минимальна. Типичное значение отношения скорости травления в направлении <100> к скорости травления в направлении <111> составляет:

V< 100>:V< 111> = 400:1. Поэтому при использовании специальных анизотропных травителей скорость травления оказывается разной в разных направлениях и боковые стенки лунок приобретают определенный рельеф - огранку. Примеры огранки при анизотропном травлении показаны на рисунке 8. Углы, под которыми вытравливаются боковые стенки лунок, строго определены и поддаются расчету. Поэтому вместе с методом масок метод анизотропного травления дает разработчику ИМС возможность проектировать рельеф отверстий не только по плоскости, но и по глубине.

Изотропное и анизотропное травление используют в технологии микроэлектроники для локального и послойного удаления материала с поверхности подложек.

Локальное травление – удаление материала со строго ограниченных и заданных участков подложки - позволяет получать топографический рисунок на поверхности подложек. Для этого создаются канавки или выступы (меза-структуры) определенного профиля и проводится травление оксидных или нитридных слоев, чтобы получить нужный рисунок металлических покрытий (контактных площадок, межсоединительных дорожек и т.д.). Локальное травление используют также при получении дифракционных решеток для инжекционных лазеров, а также при изготовлении микроэлектромеханических систем. Для локального травления могут использоваться изотропные (полирующие) и анизотропные травители.

Если для локального травления (через маску) используют изотропные травители, наблюдается так называемое подтравливание. Оно выражается в том, что травление идет не только вглубь подложки, но и в стороны - под маску. В результате стенки вытравленного рельефа оказываются не совсем вертикальными, а площадь углубления - несколько больше площади окна в маске (рисунок 8).

Явления подтравливания можно избежать, используя анизотропные травители. Если при локальном травлении в анизотропных травителях края окон в маске ориентированы по осям <100>, то подтравливание отсутствует. Это преимущество обусловлено тем фактом, что плоскость (111) как бы «непроницаема» для анизотропного травителя и размеры лунок могут практически совпадать с размерами окон в маске.


 

б)

Рисунок 8 - Локальное травление кремния: а - изотропное; б - анизотропное

Послойное травление – это последовательное снятие тонких поверхностных слоев материала. Послойное травление применяют для изучения профилей распределения дефектов структуры и примесей, электрофизических и механических свойств в подложках и эпитаксиальных структурах после проведения операций ионной имплантации, диффузии легирующих примесей, механических или термических обработок. Послойное травление используют также при анализе отказов интегральных схем. Для послойного травления используют полирующие травители с малой скоростью травления (< 0.1 мкм/мин).

Селективное травление - это травление в селективных травителях, для которых скорость растворения дефектных областей кристалла отличается от скорости растворения бездефектной матрицы. В результате на поверхности подложки в местах выхода структурных дефектов (дислокаций, дефектов упаковки, примесных кластеров, границ зерен и т.д.) образуются ямки травления. Этот вид травления используется для контроля распределения и плотности дефектов, выявления межслойных границ в эпитаксиальных структурах, p-n –переходов. При обработке гетероструктур (подложек с несколькими эпитаксиальными слоями различного химического состава) используют селективные травители, для которых скорость травления зависит от химического состава слоя (подложки).

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)