АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Высокочастотные устройства на основе фосфида индия

Читайте также:
  1. VI. Педагогические технологии на основе эффективности управления и организации учебного процесса
  2. VII. Педагогические технологии на основе дидактического усовершенствования и реконструирования материала
  3. А) Существительные с неподвижным ударением на основе.
  4. А. Однофазное прикосновение в сетях с заземленной нейтралью
  5. Алгоритм цифровой подписи на основе эллиптических кривых ECDSA
  6. Анализ платежеспособности предприятия на основе показателей ликвидности баланса
  7. Аппаратные устройства
  8. Арифметико-логические устройства
  9. Баллоны и клапанно-распылительные устройства
  10. Билет 27. Индия в эпоху Средневековья.
  11. Бомбей, Индия 27 мая 1976 года
  12. Бомбей, Индия 28 сентября 1979 года

Монолитные интегральные схемы и устройства на основе фосфида индия (InP) представляют собой весьма перспективное решение для малосигнальных модулей систем связи, где требуется малые уровни шума. В настоящее время проводятся широкие исследования устройств различных типов на предмет возможности их интеграции внутри одной микросхемы для создания более совершенных приёмо/передающих модулей. Устройства, выполненные на подложках этого типа, демонстрируют отличные характеристики и идеально подходят для телекоммуникационных приложений. Например, HEMT-транзисторы на основе InP имеют низкий коэффициент шума, высокую выходную мощность, малое ра-бочее напряжение, высокий КПД и очень высокое быстродействие. HBT-транзисторы на основе InP идеально подходят для использования в малошумящих генераторах и усилителях с высокими линейностью и КПД. Смесительные и PIN-диоды, выполненные по этой технологии, имеют очень малые потери и высокую граничную частоту. Всё это говорит о перспективности исследования возможности создания сверхвысокочастотного монолитного приёмо/передающего модуля на основе фосфида индия.

На настоящее время разработано несколько устройств, выполненных по этой технологии. Сюда входят HEMT-транзисторы с шириной затвора 0,1 мм, предельной частотой коэффициента передачи тока ft приблизительно 200 ГГц и граничной частотой в схеме с общим эмиттером fmax приблизительно 300 ГГц; одинарные n-p-n гетеропереходные транзисторы (SHBT) с частотой ft в районе 100 ГГц, частотой fmax около 150 ГГц, плотностью рассеиваемой мощности 1,4 мВт/мм2, коэффициентом усиления 11 дБ и КПД 43%; одинарные p-n-p SHBT-транзисторы с частотой ft приблизительно 13 ГГц, частотой fmax около 35 ГГц, плотностью рассеиваемой мощности 0,3 мВт/мм2, коэффициентом усиления 10 дБ и КПД 24%. Заметим, что это наилучший результат для p-n-p транзисторов на основе фосфида индия, достигнутый на настоящее время.

Также были изготовлены сдвоенные n-p-n DHBT-транзисторы с решётчатой областью коллектора, призванной улучшить группирование носителей в коллекторе, имеющие частоту ft приблизительно 100 ГГц, частоту fmax около 150 ГГц, напряжение пробоя коллектор-эмиттер BVCEO равное 18 В и напряжение пробоя база-коллектор BVCBO на уровне 23 В. Эти изделия являются лучшими на сегодняшний день и могут оказаться весьма полезными в мощных усилителях с высоким КПД.

Кроме того, была разработана технология избирательного наращивания отдельных областей подложки и её обработки, что дало возможность изготавливать на одной подложке из фосфида индия устройства различного типа, такие как HEMT-транзисторы, p-n-p и n-p-n HBT-транзисторы, смесительные и pin-диоды. Очень обнадёживающие результаты были получены после наращивания слоёв HEMT, HBT и pin-диодов и оценки их характеристик. По технологии InP были изготовлены n-p-n – p-n-p двухтактные усилители, которые показали большую линейность и улучшенный КПД по сравнению с обычными усилителями. Технология n-p-n – p-n-p также использовалась для проектирования СВЧ операционных усилителей, предна-значенных для использования в различных модулях систем связи.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)