АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Дарлингтона

Читайте также:
  1. Единой структуре IGBT
  2. ПРИЛОЖЕНИЕ
  3. УДК 621.395(075.8)

 

В рассмотренных до сих пор схемах ток в нагрузке может составлять несколько десятков миллиампер. При необходимости получения больших выходных токов следует применять транзисторы с более высокими допустимыми токами. Для этих целей можно использовать составные транзисторы по обычной или комплиментарной схеме Дарлингтона. На рис. 8.6 приведена принципиальная схема усилителя мощности, в которой используется принцип Дарлингтона.

Рис. 8.9.

При работе этой схемы в режиме АВ установка тока покоя связана с определенными затруднениями, поскольку необходимо скомпенсировать четыре зависящих от температуры напряжения база-эмитер. Этого можно избежать, задавая ток покоя только для предкооконечных транзисторов Т1 и Т2. При этом мощные выходные транзисторы будут открываться лишь при больших выходных токах. С этой целью величину напряжения смещения U1 выбирают такой, чтобы падение напряжения на резисторах R1 и R2 составляло около 0,4 В, так что U1=2(0,4+0,7)=2,2 В. В этом случае выходные транзисторы даже при высокой температуре перехода оказываются закрыты.

При увеличении выходного тока напряжение база-эмиттер выходных транзисторов возрастает приблизительно до 0,8 В. В результате падение напряжения на резисторах R1 и R2 ограничивается удвоенной величиной смещения при отсутствии сигнала. По этой причине большая часть эмитерного тока предоконечных транзисторов попадает на базу выходных транзисторов.

Резисторы R1 и R2 одновременно служат в качестве сопротивлений утечки для базового заряда выходных транзисторов. Чем меньше значение этих сопротивлений, тем быстрее будут запираться выходные транзисторы. Это особенно важно в тех случаях, когда при изменении знака входного напряжения один транзистор открывается, хотя второй еще не закрыт. В данном случае через выходные транзисторы будет протекать шунтирующий ток, вызывающий искажение выходного сигнала. Это приводит к ограничению полосы пропускания выходного каскада при больших сигналах.

 

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)