АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Пример расчета средней длины связи и средней длины цепи в конструкциях коммутационных элементов обрабатывающих устройств ЭВМ

Читайте также:
  1. A)нахождение средней из двух соседних средних, для отнесения полученного результата к определенной дате
  2. Cоздание массивов постоянной длины
  3. I. Внутреннее государственное устройство само по себе
  4. III. Реклама и связи с общественностью в коммерческой сфере.
  5. X. примерный перечень вопросов к итоговой аттестации
  6. Автоматические средства пожаротушения. Устройство спринклерных и дренчерных систем пожаротушения.
  7. Агрегатная форма индекса и индексы в средней арифметической и средней гармонической формах
  8. Административно-территориальное устройство субъектов Российской Федерации
  9. Административно-территориальное устройство субъектов РФ.
  10. Административное и государственное устройство
  11. Административное устройство и родоплеменной состав.
  12. Алгоритм расчета

Условие задачи:

Рассчитать средние длины связей и цепей для 3‑х вариантов конструкции обрабатывающего устройства ЭВМ, логическая схема которого характеризуется наличием 4‑х уровней компоновки элементов:

Вар.1 – устройство представляет собой СБИС на основе КМОП‑элементов, содержащую на одном кристалле все 4 уровня компоновки;

Вар.2 – устройство представляет собой многокристальный модуль (МКМ) на основе бескорпусных КМОП БИС, в котором первые три уровня компоновки выполнены на уровне кристалла БИС, а четвертый – находится на уровне кремниевой подложки МКМ, на которой расположены бескорпусные кристаллы этих БИС;

Вар.3 – устройство представляет собой функциональный блок на основе корпусных КМОП БИС, в котором первые три уровня компоновки выполнены на уровне кристалла БИС, а четвертый – выполнен на уровне многослойной печатной платы (МПП) блока, на которой расположены корпусные БИС.

 

Исходные данные

1. Общий (эффективно используемый) функциональный объем устройства (в ЭЛЭ), а также число элементов на каждом уровне компоновки принимаются такими же, как в Примере 8.1.

2. В устройстве на всех уровнях используется микропроцессорный принцип компоновки элементов.

3. Размеры кристаллов БИС и СБИС и соответствующий им уровень полупроводниковой технологии (длина канала транзистора – l) составляют:

для БИС – = 5,6 мм, l = 1,0 мкм;

для СБИС – = 12,5 мм, l = 0,45 мкм;

4. Трассировка логических связей в конструкциях кристаллов БИС и СБИС выполняется на отдельных (не связанных с pn структурами) слоях металлизации, что обеспечивает максимальную плотность размещения структурных элементов в кристалле.

5. Шаг размещения кристаллов и корпусов БИС (с учетом того, что внешние контакты на уровнях компоновки элементов расположены равномерно по всем четырем периферийным сторонам) составляет:

для бескорпусных БИС – = 10 мм;

для корпусных БИС – = 35 мм.

6. Логические элементы в кристаллах БИС и СБИС используются со средней эффективностью, примерно равной 0,5. При этом эффективность использования структурных элементов по уровням компоновки (Ээi) принять равной:

для i = 1: Ээ 1 = 0,7

для i = 2: Ээ 2 = 0,8

для i = 3: Ээ 3 = 0,9

для i = 4: Ээ 4 = 1

7. В качестве необходимых дополнительных исходных данных рекомендуется максимально использовать результаты расчета основных (первичных) и производных компоновочных параметров устройства, полученные в Примерах 8.1 и 8.2.

 

Решение

1. При расчетах средней длины связи (lсвi) и средней длины цепи (lцi) на i ‑м уровне компоновки устройства использованы формулы (6.7) и (6.8), приведенные в главе 6.

2. Шаг размещения структурных элементов на внутренних уровнях компоновки БИС и СБИС (аi) определялся исходя из максимального числа элементов на этих уровнях (Msi) и конечных размеров кристалла (Lкр). При этом максимальное значение числа элементов (Nsi и Msi) определены с учетом заданной эффективности использования (Ээi) по формулам:

, .

3. Итоговые результаты расчетов приведены в таблице 8.4.

 

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)