АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Симмистор

 
 

Симмистор реализует функции двух встречно включенных тиристоров (рис.1.8), но построен на базе одной полупроводниковой структуры. У симмистора потери в два раза больше, чем у каждого из двух встречновключенных тиристоров. Поэтомузатрудняются условия охлаждения симмисторов. Сегодня в схемах на большие токи симмисторы обычно не применяют, а используют два встречновключенных тиристора.

 

5) Силовой транзистор. Промышленность изготавливает силовые транзист оры напряжением до 1 кВ и на предельные токи в сотни ампер. Чтобы силовой транзистор находился во включенном состоянии, надо поддерживать ток в его цепи управления. Поэтому мощности выходных каскадов систем управления транзисторами существенны. Так как прямые падения напряжения на транзисторах несколько выше, чем на тиристорах, то и потери в них выше. На транзсторах сегодня выполняются преобразователи мощностью до нескольких сотен кВт.

 

1.2.2. Средства повышения надёжности силовых полупроводниковых преобразователей

 

Силовые полупроводниковые приборы начали применяться в энергетике в 60-ых годах 20-го века в то время как в других отраслях в конце 50-ых годов. Связано это с тем, что их применение стало возможным только после того, как были найдены технические решения, обеспечивающие достаточную надежность полупроводниковых устройств. Интенсивность отказа одного прибора мала, нормируется один отказ за 10 млн. часов (т.е. один раз в 125 лет). Однако преобразователи содержат десятки и сотни полупроводниковых приборов, и надежность преобразователя в целом может оказаться недостаточной.

Применяются следующие средства повышения надежности работы схемы преобразователя.


1 | 2 | 3 | 4 |

Поиск по сайту:

Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)