АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ

Читайте также:
  1. ВИРОМІНЮВАЛЬНІ ДІОДИ
  2. Напівпровідникові діоди
  3. НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ

Напівпровідниковий діод – активний напівпровідниковий прилад, що має двохшарову структуру утворену в одному кристалі. Один шар має електропровідність n -типу, а другий p -типу. Ці шари розділені шаром з власною електропровідністю; в ньому зосереджений просторовий заряд, позитивно заряджених іонів донорної домішки з боку напівпровідника n -типу, і негативно заряджених іонів акцепторної домішки з боку напівпровідника p -типу. Цей шар називають запірним, оскільки його електричне поле заважає руху основних носіїв напівпровідників і сприяє руху неосновних носіїв. В цілому ця структура називається електонно-дірковим переходом (n-p- переходом).

Основною властивістю електонно-діркового переходу є його одностороння провідність. Напрям, в якому послаблюється дія запірного шару (позитивний полюс джерела напруги приєднаний до p -області, а негативний до n -області), називається прямим або напрямом пропускання струму, а напрям, при якому підсилюється дія запірного шару (позитивний полюс джерела напруги приєднаний до n -області, а негативний до p -області), називається зворотнім або напрямом запирання.

При прямому зміщенні n-p- переходу його електрична провідність зростає і через переход проходить струм, що сильно залежить від прикладеної напруги.

При зворотньому зміщенні n-p- переходу його електрична провідність зменшується і через переход проходить незначний струм, який слабо залежить від прикладеної напруги (зворотній або тепловий струм).

 

Рис. 5.2 Будова напівпровідникового діоду

 

Рис. 5.3 Умовне позначення напівпровідникового діоду

 

Електонно-дірковий перехід, який має односторонню провідність називають випрямним контактом. Крім нього в діоді є ще два невипрямних контактів, за допомогою яких області напівпровідників (рис. 5.2) з’єднуються із зовнішніми виводами – омічних контактів. Прямий струм діоду направлений від аноду А (шар p -типу) до катоду К (шар n- типу) за “стрілкою” (рис. 5.3).

Рис. 5.4 ВАХ напівпровідникового діоду

 

Вольт-амперна характеристика діоду наведена на рис.5.3. Крива прямого струму розташована в І квадранті, зворотнього – в ІІІ квадранті. З графіку видно, що прямий струм досить сильно залежить від напруги. При збільшені напруги струм може перевищити максимальне значення Іmax і тоді відбудеться перегрівання n-p- переходу – прилад вийде з ладу. Для германієвих діодів напруга, при яких струм досягає 0,1 Іmax, знаходиться в межах 0,2 – 0,4 В, для кремнієвих – 0,5 – 0,8 В.

При напругах, більших за абсолютним значенням Uзв max, зворотній струм діоду різко зростає, може стати спів розмірним з прямим струмом і тоді відбувається локальне перегрівання, що призводить до руйнування діоду – електричний пробій.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.004 сек.)