АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Базовий логічний елемент транзисторно-транзисторної логіки

Читайте также:
  1. а) відношенню кількості елементарних подій, що сприяють події до кількості всіх
  2. Антропологічний матеріалізм Л.Фейєрбаха.
  3. Астросоціологічний парадокс
  4. Багатоелементні відгалужувачі
  5. Бази даних, їх призначення та основні елементи.
  6. Базовий рівень підготовки
  7. Базовий рівень підготовки.
  8. Біологічний захист
  9. Бора крушини ламкої. Елементи порошку
  10. Валютні і фінансові елементи системи
  11. Вибір раціональної конструкції деталей і елементів з’єднання

Схема базового ЛЕ ТТЛ подана на рис.4.1.


 

Рисунок 4.1 -Базовий логічний елемент транзисторно-
транзисторної логіки

 

Основним його елементом є вхідний багатоемітерний транзистор VT1, що виготовляється по інтегральній технології разом з іншими елементами схеми. Якщо на будь-який із його входів поданий сигнал низького рівня (≤ 0.4 В), через резистор R1 і відповідний емітер транзистора VT1 потече струм, у результаті чого на базі транзистора VT2 установиться потенціал низького рівня і транзистори VT2, VT4 закриються, а транзистор VT3 - відкриється. На виході елемента (колектор VT4) з'явиться сигнал високого рівня (³2.4 В).

Якщо прийняти, що напруга ≤0.4 В відповідає логічному “0”, а напруга >2.4 В - логічній “1” (позитивна логіка), то можна сказати, що схема рис. 4.1 реалізує булеву функцію І-НІ для сигналів високого рівня.

Оскільки в схемі рис. 4.1 у будь-який момент часу відкритий або транзистор VT3, або транзистор VT4, а опір резистора R4 малий, це забезпечує малий час перезарядки паразитних ємностей на виході схеми, і, отже, забезпечує високу швидкодію. Проте, у моменти переключення з одного стану в інший, коли відкривається транзистор VT3 і закривається транзистор VT4 (і навпаки), обидва транзистори знаходяться в провідному стані, що призводить до виникнення стрибка струму в колі джерела живлення. Стрибки струму не тільки створюють завади, але і збільшують потужність, що розсіюється елементом, особливо при роботі на високих частотах переключення.

Оскільки транзистори ТТЛ - схем у провідному стані знаходяться в області насичення, швидкодія схеми обмежена часом розсосування носіїв у базах транзисторів. Ця проблема подолана в ТТЛ - схемах із діодами Шотткі (ТТЛШ).

Схема ІС типу ТТЛШ аналогічна схемі ІС типу ТТЛ за винятком того, що в схемі використані транзистори, до переходів база-колектор яких підключені діоди Шотткі, що запобігають насиченню транзисторів.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)