АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Излучатели на основе гетероструктур

Читайте также:
  1. VI. Педагогические технологии на основе эффективности управления и организации учебного процесса
  2. VII. Педагогические технологии на основе дидактического усовершенствования и реконструирования материала
  3. А) Существительные с неподвижным ударением на основе.
  4. А. Однофазное прикосновение в сетях с заземленной нейтралью
  5. Алгоритм цифровой подписи на основе эллиптических кривых ECDSA
  6. Анализ опасности прикосновения к токоведущим частям в трёхфазных сетях с изолированной и заземлённой нейтралью.
  7. Анализ платежеспособности предприятия на основе показателей ликвидности баланса
  8. Анализ состояния ООО «Большевик» на основе абсолютных показателей
  9. Анализ состояния ООО «Большевик» на основе финансовых коэффициентов
  10. Бытие в соприкосновении
  11. В основе деятельности нервной системы лежит рефлекс.
  12. В основе обучения чтению – не буква, а звук.

 

Наилучшие параметры имеют диоды, изготовленные на основе гетероструктур (или гетеро­пеpеходов). На рис. 3.8, а изображены энергетические диaгpаммы излучающей гетеро­структуры GaAlAs-GаАs в состоянии равновесия. На металлургической границе перехода образуется разрыв (скачок) энергии . Таким образом, reтepocтpyктypa имеет различные потенциальные барьеры дли инжектируемых дырок и электронов.

а
б

Рисунок 3.8. Энергетические диаграммы излучающих одинарной (а) и двойной (б) гетероструктур:

 

Движение носителей в равновесном состоянии гетероструктуры определяется носителя­ми заряда только одного типа (для гeтepocтpyктуpы на рис. 3.8, а - электронами). Поэто­му при пpиложении прямоro напряжения имеет место односторонняя инжекция - только электронов из широкого слоя (эмиттера) в узкозонный слой (базу). Такая структура, содер­жащая широкозонный эмиттeр и узкозонную базу, называется одинарной гетероструктурой.

Наряду с одинарной в излучающих диодах используется двойная гeтepocтpyктypa, в ко­торой имеется дополнительно запирающий широкозонный р3-слой того же, что и база типa пpoводимости (рис..8, 6). в двойной гeтepocтpyктype второй потенциальный барьер пре­пятствует выходу электронов из базовой области (зона базы образует потенциальную «яму», в которой скапливаются инжектированные электроны.

Избыточная концентрация носителей в активной (излучающей) области и односторон­няя инжекция резко повышают внутренний квантовый выход гетероструктуры, а также ее быстродействие.

В самом деле, использование двойной гетероструктуры обеспечивает локализацию ин­жектированных носителей зарядов в базе при уменьшении ее ширины вплоть до нескольких микрометров. Это и позволяет при сохранении внутреннего квaнтoвoгo выхода значительно повысить быстродействие двойных гетероструктур. В одинарной гeтepocтpyктype при умень­шении ширины базы мощность излучения резко падает, а быстродействие растет незначительно. Для лучших образцов на одинарной гетероструктуре внешний квантовый выход состав­ляет (3... 4) %, а время переключения (40... 80) нс; двойные гетероструктуры имеют пример­но такое же значение внешнего квантового выхода, а время переключения (20... 30) нс.

Важно подчеркнуть, что односторонняя инжекция не связана со степенью легирова­ния эмиттeрной и базовой областей, как это имеет место в обычном (гомогенном) перехо­де. В результате она сохраняется до значительных плотностей тока, и появляется возмож­ность изменения степени легировании областей гетероструктуры без ухудшения инжек­ции р-n-перехода.

Другой отличительной особенностью гетероструктур является разница в оптических свойствах базы и эмиттера. В результате спектральная характеристика излучения узкозон­ной базы оказывается сдвинутой в область длинных волн по отношению к спектральной ха­рактеристике поглощения широкозонного эмиттера (рис. 3.9). поэтому излучение выво­дится из СИД через эмиттер практически без поглощения.

Эмиттер
1,0
0,6
0,8
λ, мкм
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Е, эВ
0,5
1,0
База
Рисунок 3.9. Спектральная характеристика базы и эмиттера гетероструктуры

В излучателях с двойной гетероструктурой и удаленной подложкой сказывается явле­ние многoкратного отражения («многoпроходный эффект). Излучение, претерпевающее на внешней границе кристалла гетероструктуры полное внутреннее отражение, многократно отразившись от различных граней кристалла, в конце концов, падает на внешнюю границу под таким углом, который дает ему возможность выйти наружу. Как видим, многопpоход­ный эффект полезен только в том случае, если поглощение излучения в полупроводнике ма­ло: Поглощение в узкозонной базе удается несколько компенсировать с помощью фотолю­минесценции: поглощение кванта излучения ведет к новому акту излучения.

Все преимущества гетероструктур достижимы только при высоком качестве гетеропeрехода. Для получения качественного гетероперехода необходимо иметь хорошее совпадение параметров структуры по обе стороны от металлургической границы: различие постоянных кристаллических решеток не должно превышать 0,01%, близкими должны быть и температурные коэффициенты расширения. В тех случаях, когда эти требования не вы­полняются, высокая концентрация дефектов в области гетероперехода практически сводит к нулю все его преимущества.

 


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.003 сек.)