АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомДругоеЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

ИМС на МДП структуре

Читайте также:
  1. II. Требования к структуре образовательной программы дошкольного образования и ее объему
  2. Археологические данные о социальной структуре
  3. В какой структуре несовершенной конкуренции цены диктует потребитель, а не производитель?
  4. В структуре ООП ВПО
  5. Входные требования и место дисциплины в структуре ООП бакалавриата
  6. Глава 20. Роль языка в структуре реальности
  7. Глава 4. Требования к составу и структуре активов акционерных инвестиционных фондов и активов паевых инвестиционных фондов
  8. Действия и операции в структуре учебной деятельности
  9. З.Фрейд первым выделил в структуре личности сознательный и бессознательный компоненты, на основе которых строилась дальнейшая теория психоанализа.
  10. ИМС на биполярной транзисторной структуре
  11. Классификация фразеологических единиц по грамматической структуре

Конструкция ИМС на МДП-транзисторах представ­ляет собой кремниевую пластину с электропроводностью n- или p-типа, в которой по планарной технологии создают МДП-структуры, объединенные между собой согласно элект­рической схеме с помощью металлических проводников, напыленных на поверхность защитного слоя из двуокиси кремния. Наиболее распространены МДП-структуры с изо­лированным затвором, в которых диэлектриком служит двуокись кремния. Особенностью конструкции МДП-ИМС является использование толь­ко МОП-структур (МОП-тран­зисторы служат в качестве активных и пассивных эле­ментов), отсутствие изоляции между отдельными структу­рами, применение для внут­рисхемных соединений как металлизированных пленоч­ных проводников, так и высоколегированных диффузи­онных областей.

Получили распространение ИМС на МДП-транзисторах с инду­цированными каналами n- и р-типов, а также ИМС на МДП-транзисторах с кана­лами взаимодополняющих типов электропроводности (КМДП-ИМС), конструкции которых показаны на рис. 3.6, а, б. Повышение плот­ности упаковки МДП-ИМС и их быстродействия достигается при использовании в ка­честве основного элемента МОП-транзисторов с малой дли­ной канала, размещенного в V-образных углублениях, по­лучаемых анизотропным травлением кремния (V-МОП- транзисторов). ИМС на основе V-МОП-транзисторов (рис. 3.6, в) являются наиболее перспективными среди МДП-ИМС высокой степени интеграции.

Следует отметить, что конструкция МДП-ИМС обеспе­чивает большие плотность элементов и функциональную плотность, чем конструкция ИМС на биполярных транзисто­рах. Это объясняется следующим: площадь, занимаемая МОП-транзистором на кристалле, на два порядка меньше площади под биполярный транзистор; при использовании МДП-структур не требуется изоляция между элемента ми; для биполярного транзистора требуются три контакта металл — кремний, в то время как для МДП-транзистора — только два.


1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 |

Поиск по сайту:



Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Студалл.Орг (0.002 сек.)