Решение. Зависимость ΔrGT от давления выражается изотермой Вант Гоффа (С(к)- вещество в кристаллическом состоянии не входит в ):
Зависимость ΔrGT от давления выражается изотермой Вант Гоффа (С(к)- вещество в кристаллическом состоянии не входит в ):
ΔrGТ = ∆rG0Т + RTln при Т=1000 К ΔrG1000 = ∆rG01000 + RTln
Энергия Гиббса реакции при стандартных состояниях веществ, т. е. относительных парциальных давлениях СО2 и СО равных 1: Δ rG0Т = ∆ rH0298 - T ∆ rS0298 (считая ∆ rС 0 р = 0, т.е. ∆rH0Т = ∆ rH0298 и ∆rS0Т = ∆ rS0298 - энтальпия и энтропия реакции не зависят от температуры)
при Т=1000К Δ rG01000 = 172,5- 1000∙175,66.10-3 = -3,16 кДж ˂ 0 – возможно самопроизвольное протекание реакции при стандартных состояниях и Т=1000К
Для заданных начальных состояниях веществ, отличных от стандартных ΔrG1000 = -3,16+8,31. 10 -3. 1000 ln(1/10-1) = -3,16+19,11=15,95 кДж ˃ 0 - направление протекания процесса при уменьшении парциального давления исходного газообразного вещества до 10 Па изменилось и самопроизвольное протекание процесса в прямом направлении при заданных начальных условиях и Т=1000 К невозможно.
∆ rG01000 ˂ 0 ˂ Δ rG1000 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | Поиск по сайту:
|